STMicroelectronics STO67N60DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 206-8631
- Herst. Teile-Nr.:
- STO67N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.12.18
Auf Lager
- 60 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.6.09 | CHF.12.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-8631
- Herst. Teile-Nr.:
- STO67N60DM6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | STO67N60DM6 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 59mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 11.48mm | |
| Höhe | 2.2mm | |
| Breite | 9.8 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie STO67N60DM6 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 59mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 11.48mm | ||
Höhe 2.2mm | ||
Breite 9.8 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Hochspannungs-Leistungs-MOSFET für N-Kanal ist Teil der schnellen Erholungs-Diodenserie MDmesh DM6. Im Vergleich zur vorherigen schnellen Generation von MDmesh kombiniert DM6 eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung (Qrr), Wiederherstellungszeit (trr) und eine ausgezeichnete Verbesserung des RDS(on) pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten, das auf dem Markt für die anspruchsvollsten hocheffizienten Brückentopologien und ZVS-Phasenverschiebungswandler verfügbar ist.
Gehäusediode mit schneller Erholung
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedrige Gate-Ladung, Eingangskapazität und Widerstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Extrem hohe dv/dt-Robustheit
Zenerdioden-geschützt
Ausgezeichnete Schaltleistung dank des zusätzlichen Treiber-Quellstifts
Verwandte Links
- STMicroelectronics STO67N60DM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 33 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 150 W, 3-Pin STP13NK60Z TO-220
- STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 6 A, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 33 V / 62 A 110 W, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 19 A 33 W, 3-Pin TO-220
- Vishay EF Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 33 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 33 V / 62 A 110 W, 3-Pin STP62NS04Z TO-220