Vishay SiDR170DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 95 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-4955
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR170DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.3.392 | CHF.16.94 |
| 50 - 120 | CHF.3.087 | CHF.15.44 |
| 125 - 245 | CHF.2.405 | CHF.12.04 |
| 250 - 495 | CHF.2.027 | CHF.10.15 |
| 500 + | CHF.1.796 | CHF.9.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4955
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR170DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | SiDR170DP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 93nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.51mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Länge | 5.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie SiDR170DP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 93nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.51mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Länge 5.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 100 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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