Vishay SiSS30ADN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 210-5011
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- SiSS30ADN-T1-GE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 54.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS30ADN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 830μm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 54.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS30ADN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 830μm | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK 1212-8S-Gehäuse mit 54,7 A Ableitstrom.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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