Vishay SiSS76LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 67.4 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 210-5018
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.767 | CHF.7.71 |
| 100 - 240 | CHF.0.756 | CHF.7.56 |
| 250 - 490 | CHF.0.599 | CHF.6.01 |
| 500 - 990 | CHF.0.504 | CHF.5.09 |
| 1000 + | CHF.0.42 | CHF.4.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5018
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS76LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 70V | |
| Serie | SiSS76LDN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 70V | ||
Serie SiSS76LDN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.83mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal 70-V-MOSFET (D-S) von Vishay verfügt über das PowerPAK 1212-8S-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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