Vishay SQJ152ELP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 123 A 136 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5047
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.777 | CHF.7.80 |
| 100 - 240 | CHF.0.746 | CHF.7.41 |
| 250 - 490 | CHF.0.557 | CHF.5.61 |
| 500 - 990 | CHF.0.504 | CHF.5.08 |
| 1000 + | CHF.0.431 | CHF.4.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5047
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 123A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | SQJ152ELP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.25 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 123A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie SQJ152ELP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.25 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay Automotive N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse mit 123 A Ableitstrom.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
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