Vishay SQJQ148E N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 375 A 325 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
210-5059
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ148E-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

375A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Serie

SQJQ148E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

325W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

8.1mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.7mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET verfügt über ein 8 x 8-l-PowerPAK-Gehäuse mit 375 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

AEC-Q101-qualifiziert

100 % Rg- und UIS-geprüft

Dünnes 1,6-mm-Gehäuse

Sehr niedriger Wärmewiderstand

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