Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 40 V / 70 A 35 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4350
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA041N04NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.0.909 | CHF.13.60 |
| 75 - 135 | CHF.0.859 | CHF.12.91 |
| 150 - 360 | CHF.0.828 | CHF.12.36 |
| 375 - 735 | CHF.0.788 | CHF.11.82 |
| 750 + | CHF.0.737 | CHF.11.01 |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4350
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA041N04NGXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 70A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.1mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.68mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 70A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.1mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.85mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.68mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET verfügt nicht nur über den branchenweit niedrigsten R DS(on), sondern auch über ein perfektes Schaltverhalten für schnelle Schaltanwendungen. 15 % niedrigerer R DS(on) und 31 % niedrigerer Leistungswert (R DS(on) x Q g) im Vergleich zu alternativen Geräten wurden durch Advanced Thin Wafer-Technologie realisiert.
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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