Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 147 A 50 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 214-8971
Herst. Teile-Nr.:: BSC015NE2LS5IATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 147 A 50 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (5000 Stück, auf einer Rolle mit 5000)*

CHF 2'625.00

Vorübergehend ausverkauft

5'000 Einheit(en) mit Versand ab 16. September 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
5000 +	CHF 0.525	CHF 2'641.15

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 214-8971
Herst. Teile-Nr.:: BSC015NE2LS5IATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	147A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	25V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Durchlassspannung Vf	650mV
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.1mm
	Breite	6.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	5.49mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 147A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 25V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Durchlassspannung Vf 650mV
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.1mm
	Breite 6.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 5.49mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC015NE2LS5IATMA1

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 50 W maximale Verlustleistung, 25 V maximale Drain-Source-Spannung – BSC015NE2LS5IATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltungen und Laststeuerungen in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für eine hohe kontinuierliche Ableitstrom- und Leistungsaufnahme spezifiziert, wodurch er sich für Anwendungen eignet, die geringe Leitungsverluste und eine schnelle, gate-gesteuerte Schaltung erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 1,5 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 147 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Lastströme
• 50 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 22 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Die Durchlassspannung von 0,65 V minimiert den Spannungsabfall unter Last
• 25-V-Drain-Source-Nennleistung für Niederspannungs-Stromversorgungsschienen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorantriebsstufen in der Leistungselektronik verwendet
• Kann zum Schutz und zur Verteilung von Batterien verwendet werden
• Geeignet für die Leistungsschaltung in kompakten SMD-Baugruppen

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Er wird in einem 8-poligen TDSON-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welche Spannungsgrenzwerte sollten bei der Schaltungsentwicklung beachtet werden?

Die maximale Drain-Source-Spannung beträgt 25 V und die maximale Gate-Source-Spannung 16 V.

Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?

Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C für einen erweiterten thermischen Bereich.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus sind implementiert?

Das Gerät ist ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET.

Welche physischen Einschränkungen sind für das Leiterplatten-Layout relevant?

Das Gehäuse misst ca. 5,49 mm x 6,35 mm bei einer Höhe von 1,1 mm.