Infineon OptiMOS P3 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 39.6 A 40 W, 8-Pin TSDSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-8990
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 214-8990
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 39.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS P3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.49mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 39.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSDSON | ||
Serie OptiMOS P3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.49mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS-Einzel-P-Kanal-Leistungs-MOSFETs wurden entwickelt, um verbesserte Funktionen zu bieten, die hochwertige Leistungen erfüllen. Die Merkmale umfassen ultraniedrige Schaltverluste, Durchlasswiderstand, Stoßentladungsnennwerte sowie eine AEC-Zulassung für Lösungen in der Automobilindustrie. Anwendungen umfassen DC/DC, Motorsteuerung, Batterie- und Lastschaltung.
Er hat eine Betriebstemperatur von 150 °C.
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
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