Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.5 A 83 W, 8-Pin ISZ810P06LMATMA1

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RS Best.-Nr.:
284-805
Herst. Teile-Nr.:
ISZ810P06LMATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-19.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Serie

OptiMOS Power Transistor

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

81mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

83W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon ist ein fortschrittlicher Leistungstransistor mit außergewöhnlicher Leistung und Zuverlässigkeit, womit er eine ideale Wahl für anspruchsvolle industrielle Anwendungen ist. Die OptiMOS-Leistungs-Transistor-Serie von Infineon zeichnet sich durch ihre Eigenschaften mit geringem Widerstand beim Einschalten durch hohe Energieeffizienz aus und sorgt für einen minimalen Energieverlust während des Betriebs. Sein robustes Design ist vollständig nach JEDEC-Standards qualifiziert und bietet Ingenieuren, die auf der Suche nach langlebigen Komponenten sind, Ruhe. Er arbeitet mit 60 V und ist für Hochleistungsanwendungen zugeschnitten, während er einen niedrigen Wärmewiderstand aufrechterhält, was ein effektives Wärmemanagement ermöglicht.

P-Kanalkonfiguration optimiert Stromsteuerung

Logikpegelkompatibilität für einfache Schnittstelle

Lawinengeprüft auf Zuverlässigkeit unter Belastung

Bleifreie Bleifläche erfüllt die Umweltvorschriften

Halogenfreie Bauweise unterstützt sauberere Produktion

Verbesserte thermische Eigenschaften für konsistenten Betrieb

Hoher durchgehender Ablassstrom für verschiedene Anwendungen

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