Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 106 A 48 W, 8-Pin PG-TSDSON-8FL

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RS Best.-Nr.:
273-5247
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0902NSATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

106A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-TSDSON-8FL

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Automobilstandard

Nein

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 106 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSZ0902NSATMA1


Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsmodus-Leistungstransistor, der für den oberflächenmontierten Einsatz in Hochstromschalt- und Leistungsumwandlungsfunktionen entwickelt wurde. Er unterstützt breite Betriebstemperaturen und eignet sich für Konstruktionen, die eine robuste Wärmebehandlung und geringere Leitungsverluste erfordern. Das Gerät entspricht den einschlägigen Material- und Umweltstandards und ist für die Low-Profile-Leiterplatten-Integration konfiguriert.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand von 3,5 mΩ reduziert Leitungsverluste und verbessert die Effizienz
• Die Verlustleistung von 48 W ermöglicht eine dauerhafte Handhabung der thermischen Belastung
• 26 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnelleres Schalten bei kontrollierten Antriebsanforderungen
• Die maximale Gate-Spannung von 20 V bietet Spielraum für Gate-Drive-Designs
• Der Bemessungsbetrieb von -55 °C bis 150 °C unterstützt ein breites Spektrum an thermischen Umgebungen

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler und Leistungsstufen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungsschaltkreisen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Verteilungsschutz verwendet werden
• Wird mit kompakten oberflächenmontierten Baugruppen auf thermisch gesteuerten Leiterplatten verwendet

Welches Gehäuse wird für die flache Oberflächenmontage bereitgestellt?


Er wird in einem PG-TSDSON-8FL-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.

Wie bewältigt das Bauteil kurzfristige thermische Belastungen?


Das Gerät ermöglicht eine maximale Verlustleistung von 48 W, was seine thermische Belastbarkeit bei ausreichender Leiterplattenkühlung bestimmt.

Was sind die elektrischen Grenzwerte für Gate- und Ablassklemmen?


Das Gate kann bis zu 20 V betrieben werden, während der Drain-to-Source bis zu 30 V standhält.

Ist dieses Teil für Kfz-Spezifikationen vorgesehen?


Er ist nicht als Kfz-Klassifizierung eingestuft, erfüllt jedoch RoHS- und spezifizierte IEC- und DIN-Umwelt- und Materialstandards.

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