Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 9 A 47 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9041
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.746 | CHF.18.59 |
| 125 - 225 | CHF.0.704 | CHF.17.64 |
| 250 - 600 | CHF.0.693 | CHF.17.27 |
| 625 - 1225 | CHF.0.651 | CHF.16.17 |
| 1250 + | CHF.0.599 | CHF.15.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9041
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.84V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.84V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
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