Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 9 A 47 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-9041
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF 1.121 | CHF 28.03 |
| 125 - 225 | CHF 1.061 | CHF 26.61 |
| 250 - 600 | CHF 1.04 | CHF 26.06 |
| 625 - 1225 | CHF 0.98 | CHF 24.42 |
| 1250 + | CHF 0.909 | CHF 22.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9041
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R650CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 840mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 840mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
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