Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 74 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 214-9103
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.19.70
Auf Lager
- 1’250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.788 | CHF.19.74 |
| 125 - 225 | CHF.0.62 | CHF.15.38 |
| 250 - 600 | CHF.0.578 | CHF.14.41 |
| 625 - 1225 | CHF.0.536 | CHF.13.42 |
| 1250 + | CHF.0.494 | CHF.12.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9103
- Herst. Teile-Nr.:
- IPS60R800CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 8.4 A 74 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin IPS60R3K4CEAKMA1 TO-251
- Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 37 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.7 A 94 W, 3-Pin TO-251
- Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin IPS60R1K5CEAKMA1 TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 37 W, 3-Pin IPS65R1K0CEAKMA2 TO-251