Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-4713
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (20 Stück, in einer Packung mit 20)*
CHF 15.96
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. Juli 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | CHF 0.798 | CHF 15.94 |
| 100 - 180 | CHF 0.626 | CHF 12.42 |
| 200 - 480 | CHF 0.586 | CHF 11.64 |
| 500 - 980 | CHF 0.545 | CHF 10.85 |
| 1000 + | CHF 0.505 | CHF 10.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4713
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Breite | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Breite 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Integrierte ESD-Schutzdiode
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
- Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 22.7 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.7 A 94 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 53 W, 3-Pin TO-251
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 700 V / 9.4 A 25 W, 3-Pin TO-251