Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-4712
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF 0.798 | CHF 59.77 |
| 150 - 300 | CHF 0.626 | CHF 46.58 |
| 375 - 675 | CHF 0.586 | CHF 43.55 |
| 750 - 1800 | CHF 0.545 | CHF 40.60 |
| 1875 + | CHF 0.505 | CHF 37.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4712
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R600P7SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43.1W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Integrierte ESD-Schutzdiode
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
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