Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-4712
Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R600P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Verlustleistung Pd

43.1W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

6.1mm

Breite

2.38 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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