Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin IPSA70R900P7SAKMA1 TO-251

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Herst. Teile-Nr.:
IPSA70R900P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-251

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.8nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

30.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Höhe

6.1mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.38 mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Integrierte ESD-Schutzdiode

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

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