Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.7 A 94 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 214-9112
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | CHF.0.609 | CHF.15.12 |
| 125 - 225 | CHF.0.462 | CHF.11.63 |
| 250 - 600 | CHF.0.431 | CHF.10.87 |
| 625 - 1225 | CHF.0.41 | CHF.10.13 |
| 1250 + | CHF.0.378 | CHF.9.37 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9112
- Herst. Teile-Nr.:
- IPSA70R950CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.38 mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.38 mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnellen Super Junction MOSFET ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Einfach zu verwenden/zu treiben
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Zugelassen für Standardanwendungen
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