Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin IPS70R900P7SAKMA1 TO-251

RS Best.-Nr.:: 222-4936
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R900P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin IPS70R900P7SAKMA1 TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4936
Herst. Teile-Nr.:: IPS70R900P7SAKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	700V
	Gehäusegröße	TO-251
	Serie	IPS70R
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	900mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	16 V
	Maximale Verlustleistung Pd	30.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.8nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	6.22mm
	Breite	2.4 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 700V
	Gehäusegröße TO-251
	Serie IPS70R
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 16 V
	Maximale Verlustleistung Pd 30.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 6.22mm
	Breite 2.4 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPS70R900P7SAKMA1

Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction-MOSFET-Erfahrung ermöglicht 700V CoolMOS TM P7 eine optimale Passform für Zielanwendungen in Bezug auf:

Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten

Integrierte Zenerdiode

Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.

Fein abgestuftes Portfolio

Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 30.5 W, 3-Pin IPS70R900P7SAKMA1 TO-251

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