Infineon IPS70R Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 8.5 A 43.1 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
222-4932
Herst. Teile-Nr.:
IPS70R600P7SAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

IPS70R

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

43.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Breite

2.4 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon wurde entwickelt, um den heutigen und insbesondere den Trends von morgen in Flyback-Topologien gerecht zu werden - die neue Superjunction-MOSFET-Serie 700V CoolMOS TM P7 ist für den energiesparenden SMPS-Markt wie Mobiltelefon-Ladegeräte oder Notebook-Adapter konzipiert und bietet grundlegende Leistungsverbesserungen im Vergleich zu heute verwendeten Superjunction-Technologien. Durch die Kombination von Kundenfeedback mit über 20 Jahren Superjunction MOSFET-Erfahrung, 700 V.

Ermöglicht Hochgeschwindigkeitsschalten

Integrierte Zenerdiode

Optimierter V (GS) von 3 V mit sehr enger Toleranz von ±0,5 V.

Fein abgestuftes Portfolio

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