Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 37 A 29 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2476
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- 215-2476
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 29W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 29W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS CE Serie MOSFET, 500 V Drain-Source-Spannung, 37 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPA60R080P7XKSA1
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig über einen breiten Temperaturbereich und wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchsteckbohrung geliefert, das für herkömmliche Montageverfahren geeignet ist. Das Gerät ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Drain-Source-Spannung und eine moderate Verlustleistung erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Der Ablasswert von 500 V bietet eine hohe Hochspannungstoleranz für Wandler
• 80 mΩ Rds(on) ermöglicht geringere Leitungsverluste während der Belastungszeiten
• 37 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine hohe Ausgangsleistung
• Die maximale Verlustleistung von 29 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme in Anwendungen
• Die typische Gate-Ladung von 51 nC sorgt für einen vorhersehbaren Schaltenergiebedarf
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Abfall bei Diodenleitungsereignissen
• 80 mΩ Rds(on) ermöglicht geringere Leitungsverluste während der Belastungszeiten
• 37 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen eine hohe Ausgangsleistung
• Die maximale Verlustleistung von 29 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme in Anwendungen
• Die typische Gate-Ladung von 51 nC sorgt für einen vorhersehbaren Schaltenergiebedarf
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Abfall bei Diodenleitungsereignissen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen
• Wird mit industriellen Motorantrieben verwendet
• Kann für Einschaltstrombegrenzende Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge in Laboranlagen
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen
• Wird mit industriellen Motorantrieben verwendet
• Kann für Einschaltstrombegrenzende Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für allgemeine Stromschaltvorgänge in Laboranlagen
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Betriebs eingehalten werden?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis zu 20 V auf
Designs sollten den Gate-Antrieb innerhalb dieses Bereichs halten, um eine Gate-Oxid-Belastung zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Temperatur auf die sichere Verwendung in Systemen aus?
Die Komponente ist für den Betrieb zwischen -55 °C und 150 °C ausgelegt, daher sollte das Wärmemanagement sicherstellen, dass die Sperrschichttemperaturen innerhalb dieses Bereichs bleiben, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.
Welche Befestigungsmethode ist für die Leiterplatten-Integration erforderlich?
Es wird in einem TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrung geliefert, sodass es für die Leiterplattenmontage mit mechanischer Befestigung und entsprechender Kühlung vorgesehen ist.
Welches Schaltverhalten sollten Entwickler bei hohen Spannungen erwarten?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 51 nC ergeben sich Schaltverluste vorhersehbar
muss die Treiberauswahl diese Ladung bewältigen, um die gewünschten Übergangsgeschwindigkeiten zu erreichen.
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