Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 21 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
215-2587
Herst. Teile-Nr.:
IRF8734TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

20nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Die Infineon HEXFET Power MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung in einem SO-8-Gehäuse. Es hat Anwendung als synchroner MOSFET für Notebook-Prozessor-Leistungs- und Synchrongleichrichter-MOSFET für isolierte DC/DC-Wandler in Netzwerksystemen.

Niedrige Gateladung

Lawinenspannung und -strom umfassend beschrieben

100 % geprüft für RG

Bleifrei

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