ROHM RV8 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 20 V / 1 A 1 W, 3-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 215-9932
- Herst. Teile-Nr.:
- RV8C010UNHZGG2CR
- Marke:
- ROHM
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- 215-9932
- Herst. Teile-Nr.:
- RV8C010UNHZGG2CR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | RV8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 470mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Länge | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie RV8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 470mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.4mm | ||
Länge 1mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Rohm Kleinsignal-MOSFET verfügt über ein extrem kleines, bleifreies Ableitungspad für ausgezeichnete Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse. Er wird hauptsächlich in Schaltkreisen, Lastschaltern auf der Niederspannungsseite und Relaistreibern verwendet.
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Extrem niedriger Spannungsantrieb
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