ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 200 mA, 3-Pin DFN1010
- RS Best.-Nr.:
- 223-6196
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84XHZGG2CR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6196
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS84XHZGG2CR
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- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN1010 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,3 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN1010 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,3 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN3333-9DC-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten und für den Motorantrieb verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
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