ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin RF4L040ATTCR DFN

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Herst. Teile-Nr.:
RF4L040ATTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

890mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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