ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4 A, 8-Pin DFN2020
- RS Best.-Nr.:
- 223-6290
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L040ATTCR
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6290
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L040ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DFN2020 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,89 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DFN2020 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,89 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
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