ROHM Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 4 A 2 W, 8-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 223-6290
- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L040ATTCR
- Marke:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RF4L040ATTCR
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 890mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 890mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
Halogenfrei
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