ROHM P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4 A, 8-Pin DFN2020

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RS Best.-Nr.:
223-6290
Herst. Teile-Nr.:
RF4L040ATTCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

4 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DFN2020

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

0,89 Ω

Gate-Schwellenspannung max.

2.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp DFN2020-8S. Er wird hauptsächlich zum Schalten und Lastschalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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