ROHM BSS84X HZG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 200 mA 1 W, 3-Pin BSS84XHZGG2CR DFN

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Herst. Teile-Nr.:
BSS84XHZGG2CR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

200mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Serie

BSS84X HZG

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.3Ω

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Höhe

0.4mm

Länge

1mm

Breite

1 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN3333-9DC-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten und für den Motorantrieb verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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