Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 48 A 48 W, 8-Pin PDFN56

Image representative of range

View all MOSFET

Subtotal (1 reel of 2500 units)*

CHF.2’152.50

Add to Basket
Select or type quantity
Nur noch Restbestände
  • Letzte 2’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Units
Per unit
Per Reel*
2500 +CHF.0.861CHF.2’155.13

*price indicative

RS Stock No.:
216-9682
Mfr. Part No.:
TSM110NB04DCR
Brand:
Taiwan Semiconductor
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

48A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.2mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.2 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

Related links