Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9649
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM025NB04LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 216-9649
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM025NB04LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 161A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 112nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 135W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 3.81 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 161A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 112nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 135W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6mm | ||
Breite 3.81 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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