Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 107 A 136 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9661
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM048NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.33.29
Wird eingestellt
- Letzte 1’640 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.3.329 | CHF.33.25 |
| 50 - 90 | CHF.3.255 | CHF.32.58 |
| 100 - 240 | CHF.2.993 | CHF.29.88 |
| 250 - 990 | CHF.2.93 | CHF.29.30 |
| 1000 + | CHF.2.72 | CHF.27.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-9661
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM048NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 107A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 107A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU and WEEE 2002/96/EC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 107 A 136 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin TSM025NB04CR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 104 A 136 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 104 A 136 W, 8-Pin TSM045NB06CR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin TSM025NB04LCR PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 83 W, 8-Pin PDFN56