Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 121 A 36 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9652
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM033NB04CR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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- RS Best.-Nr.:
- 216-9652
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- TSM033NB04CR
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- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 121A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Breite | 3.81mm | |
| Normen/Zulassungen | WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 121A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1.05mm | ||
Breite 3.81mm | ||
Normen/Zulassungen WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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