Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM160N10LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Aufgrund einer herstellerseitigen Produktionseinstellung wissen wir nicht, ob dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 216-9698
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM160N10LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Serie | TSM025 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 100 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 46 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 83 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1 V | |
| Höhe | 1.1 mm | |
| Länge | 6.2 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 16 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 73 nC | |
| Breite | 5.2 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Serie TSM025 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 100 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 46 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 83 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1 V | ||
Höhe 1.1 mm | ||
Länge 6.2 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 16 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 73 nC | ||
Breite 5.2 mm | ||
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 46 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 124 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 67 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 51 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 51 A 68 W, 8-Pin PDFN56