Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 67 A 83 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9679
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM089N08LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.3.854 | CHF.38.50 |
| 50 - 90 | CHF.3.77 | CHF.37.74 |
| 100 - 240 | CHF.3.465 | CHF.34.69 |
| 250 - 990 | CHF.3.402 | CHF.34.00 |
| 1000 + | CHF.3.15 | CHF.31.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-9679
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM089N08LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 67A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TSM025 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 155°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 67A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TSM025 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Maximale Betriebstemperatur 155°C | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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