Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 74 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9666
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM055N03PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.239 | CHF.30.92 |
| 50 - 75 | CHF.1.208 | CHF.30.24 |
| 100 - 225 | CHF.1.113 | CHF.27.80 |
| 250 - 975 | CHF.1.092 | CHF.27.22 |
| 1000 + | CHF.1.008 | CHF.25.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-9666
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM055N03PQ56
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 74W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21 | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 74W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21 | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6mm | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
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