Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 28 A 56 W, 8-Pin PDFN56

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RS Best.-Nr.:
216-9708
Herst. Teile-Nr.:
TSM280NB06LCR
Marke:
Taiwan Semiconductor
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Marke

Taiwan Semiconductor

Serie

TSM025

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

60 V

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

28 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

56 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

PDFN56

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

1.1 mm

Länge

6.1 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

28 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

18 nC

Breite

5.1 mm

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

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