Taiwan Semiconductor TSM025 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 25 A 40 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9712
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM300NB06DCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 216-9712
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM300NB06DCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 25A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.15mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Breite | 5.2mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.15mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Breite 5.2mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
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