Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 111 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 217-2542
Herst. Teile-Nr.:: IPN60R360P7SATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 111 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 217-2542
Herst. Teile-Nr.:: IPN60R360P7SATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	IPN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	36nC
	Maximale Verlustleistung Pd	111W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	8.8mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	8.8mm
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie IPN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC
	Maximale Verlustleistung Pd 111W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 8.8mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 8.8mm
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPN60R360P7SATMA1

MOSFET der IPN-Serie von Infineon, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 111 W maximale Verlustleistung – IPN60R360P7SATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalter, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen konzipiert ist und einen Enhancement-Modus-Betrieb für die kontrollierte Leitung in elektronischen Schaltkreisen bietet. Er ist für den Betrieb über einen erweiterten Umgebungsbereich und Schnittstellen über drei Pins in einem kompakten SOT-223-Gehäuse ausgelegt, das für die Montage auf Platinenebene geeignet ist.

Merkmale und Vorteile:

• 600 V Drain-Toleranz ermöglicht den Betrieb in Hochspannungssystemen
• 9 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• 360 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste unter Nennbedingungen
• Die Verlustleistung von 111 W ermöglicht eine dauerhafte Wärmemanagement
• 36 nC typische Gate-Ladung erleichtert vorhersehbares Schaltverhalten

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochspannungs-Leistungsschaltkonstruktionen
• Ideal für Ausgangsstufen von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Netzteilen verwendet, die oberflächenmontierte Komponenten erfordern
• Kann für Motorsteuerungsschalter in Steuerkreisen verwendet werden
• Geeignet für das Netzstrommanagement in Industrieanlagen

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Betriebs eingehalten werden?

Das Gate darf eine Spitze von 20 V bezogen auf die Quelle nicht überschreiten, um Überbelastungen zu vermeiden.

Welchem thermischen Bereich kann das Gerät im Betrieb standhalten?

Er ist für den Betrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt, um Anlauf bei niedrigen Temperaturen und erhöhten Betriebsbedingungen abzudecken.

Wie viele elektrische Anschlüsse bietet er für die Leiterplattenmontage?

Er verfügt über drei elektrische Stifte und wird im SOT-223-Oberflächenmontageformat geliefert.

Wie hoch ist der typische Vorwärtsfall bei der Leitung im Vorwärtsdiodenpfad?

Die Durchlassspannung ist unter den Prüfbedingungen des Datenblatts auf 0,9 V angegeben.