Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2270
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF 0.232 | CHF 699.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-2270
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | IPN | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie IPN | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen, das auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz zugeschnitten ist.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und RDS(on)*Eoss
Niedrige Schaltverluste Eoss, ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Schnelle Body-Diode
Breites Portfolio an RDS(on) und Gehäusevarianten
Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren
Ermöglicht Effizienzgewinne bei höheren Schaltfrequenzen
Ausgezeichnete Kommutierungsrobustheit
Einfache Auswahl der richtigen Bauteile und Optimierung des Designs
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