Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 244-2270
Herst. Teile-Nr.:: IPN60R600PFD7SATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 244-2270
Herst. Teile-Nr.:: IPN60R600PFD7SATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	IPN
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie IPN
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPN60R600PFD7SATMA1

Der Infineon 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R2K0PFD7S) ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen, das auf ultrahohe Leistungsdichte und höchste Effizienz zugeschnitten ist.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOM RDS(on)*Qg und RDS(on)*Eoss

Niedrige Schaltverluste Eoss, ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Schnelle Body-Diode

Breites Portfolio an RDS(on) und Gehäusevarianten

Ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte und kleinen Formfaktoren

Ermöglicht Effizienzgewinne bei höheren Schaltfrequenzen

Ausgezeichnete Kommutierungsrobustheit

Einfache Auswahl der richtigen Bauteile und Optimierung des Designs

Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 600 V / 6 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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