Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 244-2272
Herst. Teile-Nr.:: IPN95R3K7P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.945.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 27. Januar 2027

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 - 3000	CHF.0.315	CHF.935.55
6000 +	CHF.0.294	CHF.888.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 244-2272
Herst. Teile-Nr.:: IPN95R3K7P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	950V
	Gehäusegröße	SOT-223
	Serie	IPN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	2mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.1A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 950V
	Gehäusegröße SOT-223
	Serie IPN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 2mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPN95R3K7P7ATMA1

Die CoolMOS™ P7-MOSFETs von Infineon Technologies bieten das beste Preis-Leistungs-Verhältnis ihrer Klasse und eine hervorragende Benutzerfreundlichkeit, um die Herausforderungen in verschiedenen Anwendungen zu meistern. Die P7-MOSFETs sind vollständig für Hard- und Soft-Switching-Topologien optimiert.

Klassenbester FOM RDS(on)*(Eoss) durch Coss(Ausgangskapazität) abgeleitete Energie; Reduzierte Gate-Kapazität (Qg), Eingangskapazität und Ausgangskapazität

Klassenbester SOT-223 RDS(on)

Klassenbeste V( GS)th von 3V und kleinste V(GS)th-Schwankung von ±0,5 V

Integrierter Zenerdioden-ESD-Schutz

Klassenbeste Cool MOS™-Qualität und -Zuverlässigkeit

Vollständig optimiertes Portfolio

Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 950 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223

Verwandte Links