Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*

CHF.7.36

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 720 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
20 - 80CHF.0.368CHF.7.29
100 - 180CHF.0.294CHF.5.92
200 - 480CHF.0.294CHF.5.78
500 - 980CHF.0.284CHF.5.63
1000 +CHF.0.273CHF.5.50

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
217-2548
Herst. Teile-Nr.:
IPN70R450P7SATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

IPN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.1nC

Maximale Verlustleistung Pd

6.2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS TM P7 Superjunction (SJ) MOSFET wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht CoolMOS TM P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMR DS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss

Ausgezeichnetes thermisches Verhalten

Integrierte ESD-Schutzdiode

Geringe Schaltverluste (Eoss)

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard

Verwandte Links