Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 244-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.596 | CHF.7.96 |
| 50 - 120 | CHF.1.303 | CHF.6.54 |
| 125 - 245 | CHF.1.222 | CHF.6.13 |
| 250 - 495 | CHF.1.151 | CHF.5.75 |
| 500 + | CHF.1.05 | CHF.5.26 |
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- RS Best.-Nr.:
- 244-2269
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der 600V CoolMOS™ PFD7 Superjunction-MOSFET (IPN60R360PFD7S) von Infineon ergänzt das CoolMOS™ 7-Angebot für Endverbraucheranwendungen. Der IPN60R360PFD7S im SOT-223-Gehäuse hat einen RDS(on) von 360 mOhm, was zu geringen Schaltverlusten führt.
Sehr niedriges FOM RDS(on) x Eoss
Integrierte robuste Fast-Body-Diode
Bis zu 2 kV ESD-Schutz
Breites Spektrum an RDS(on)-Werten
Hervorragende Kommutierungsrobustheit
Geringe EMI
Breites Gehäuseportfolio
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