Infineon IPN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 217-2546
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 217-2546
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K4P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPN | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.2W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPN | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.2W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPN-Serie von Infineon, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN70R1K4P7SATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für Oberflächenmontageanwendungen in industriellen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er ist für die Stromsteuerung in Schaltkreisen vorgesehen, die einen Enhancement-Mode-Transistor erfordern, der hohe Drain-to-Source-Spannungen und Dauerstrom bewältigen kann und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich arbeitet.
Merkmale und Vorteile:
• 700 V Drain-to-Source-Bewertung ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 1.4 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 6.2 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 30-V-Gate-Toleranz bietet eine robuste Gate-Drive-Marge
• Typische Gate-Ladung von 4.7 nC minimiert die Schaltenergie
• 4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Lastströme
• 1.4 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die Verlustleistung von 6.2 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 30-V-Gate-Toleranz bietet eine robuste Gate-Drive-Marge
• Typische Gate-Ladung von 4.7 nC minimiert die Schaltenergie
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsschaltkreise in Stromversorgungen
• Ideal für Motorantriebsstufen mit mittlerer Leistung und Oberflächenmontage
• Wird für Flyback- und Boost-Wandler-Schaltelemente verwendet
• Kann zum kontrollierten Lastschalten in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Schaltkreise, die einen breiten Temperaturbereich erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen mit mittlerer Leistung und Oberflächenmontage
• Wird für Flyback- und Boost-Wandler-Schaltelemente verwendet
• Kann zum kontrollierten Lastschalten in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für Schaltkreise, die einen breiten Temperaturbereich erfordern
Welchen Temperatur-Extremen kann er im Betrieb standhalten?
Er arbeitet zuverlässig von -40 °C bis 150 °C.
Wie viele Anschlussstifte sind aus Gründen des Layouts verfügbar?
Das Gerät wird mit drei elektrischen Anschlüssen für die Leiterplattenmontage geliefert.
Welche Gehäusetyp sollte für die Oberflächenmontage angegeben werden?
Es verwendet ein SOT-223-Gehäuse, das für oberflächenmontierte Lötprozesse geeignet ist.
Wie hoch ist der typische Vorwärtsabfall, wenn die integrierte Diode leitet?
Das Gerät weist eine Durchlassspannung von 0,9 V auf, wenn die intrinsische Diode leitet.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Schaltleistung aus?
Eine typische Gate-Ladung von 4,7 nC begrenzt die Gate-Antriebsenergie und beeinflusst die Schaltgeschwindigkeit und Verluste.
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