Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 6.7 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 217-2550
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R750P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.48.50
Vorübergehend ausverkauft
- 7'600 Einheit(en) mit Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.97 | CHF.48.68 |
| 100 - 200 | CHF.0.707 | CHF.35.50 |
| 250 - 450 | CHF.0.667 | CHF.33.08 |
| 500 - 1200 | CHF.0.616 | CHF.30.65 |
| 1250 + | CHF.0.576 | CHF.28.74 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2550
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R750P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | IPN | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie IPN | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.7W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS TM P7 Superjunction (SJ) MOSFET wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht CoolMOS TM P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen.
Optimale Leistung bei der Supjunction-Technologie
Kostengünstige Paketlösung
Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis
Verwandte Links
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6.5 A 6.7 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 4 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 10 A 6.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 111 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 4.5 A 6.8 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon 700V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 6.5 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 6.1 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon IPN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 100 A 81 W, 3-Pin SOT-223