Infineon CoolMOS CFDA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22.4 A 195.3 W, 3-Pin IPP65R150CFDAAKSA1

RS Best.-Nr.:: 217-2563
Herst. Teile-Nr.:: IPP65R150CFDAAKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CFDA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22.4 A 195.3 W, 3-Pin IPP65R150CFDAAKSA1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 5	CHF.4.337	CHF.21.67
10 - 20	CHF.3.77	CHF.18.85
25 - 45	CHF.3.507	CHF.17.56
50 - 120	CHF.3.297	CHF.16.46
125 +	CHF.3.035	CHF.15.17

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 217-2563
Herst. Teile-Nr.:: IPP65R150CFDAAKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	22.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-220
	Serie	CoolMOS CFDA
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	15nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Verlustleistung Pd	195.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	41.42mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	5.21 mm
	Länge	16.13mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-220
	Serie CoolMOS CFDA
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Verlustleistung Pd 195.3W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 41.42mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 5.21 mm
	Länge 16.13mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPP65R150CFDAAKSA1

Der 650V CoolMOS TM CFDA-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten CoolMOS TM-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V CoolMOS TM CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Konform mit AEC Q101-Standard

Infineon CoolMOS CFDA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 22.4 A 195.3 W, 3-Pin IPP65R150CFDAAKSA1

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