Infineon IPZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 40 A 34 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 217-2589
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2589
- Herst. Teile-Nr.:
- IPZ40N04S58R4ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Serie | IPZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Serie IPZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 8,4 MΩ, Kfz-MOSFET, S3O8, OptiMOS\-5.
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Normalpegel
AEC Q101-zertifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Green Product (RoHS-konform)
100 % Lawinenprüfung
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