Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 170 A 300 W IRFS3207ZTRRPBF TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRFS3207ZTRRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

170A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.1mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Breite

4.83 mm

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 75-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dv/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche SOA

Verbesserte Gehäusediode dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

RoHS-konform, halogenfrei

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