Infineon CoolMOS C3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2644
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04N80C3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.81
Auf Lager
- Zusätzlich 3'380 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF 1.081 | CHF 10.79 |
| 50 - 90 | CHF 1.03 | CHF 10.25 |
| 100 - 240 | CHF 0.98 | CHF 9.82 |
| 250 - 490 | CHF 0.939 | CHF 9.39 |
| 500 + | CHF 0.889 | CHF 8.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2644
- Herst. Teile-Nr.:
- SPD04N80C3ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3Ω | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Breite | 2.41mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3Ω | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Breite 2.41mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800V CoolMOS TM C3 ist die dritte Serie von CoolMOS TM von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios. .
Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)
Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V
Niedrige Gate-Ladung (Qg)
Bewährte CoolMOS-Qualität
Die CoolMOS™-Technologie wird seit 1998 von Infineon hergestellt.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3.9 A 63 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C3 SPD06N60C3 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 6,2 A 74 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 6 A 83 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 30.5 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A 42 W, 3-Pin TO-220