Infineon Isoliert CoolSiC N-Kanal, Chassis MOSFET 1.2 kV / 50 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY1B

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RS Best.-Nr.:
217-7180
Herst. Teile-Nr.:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1.2kV

Serie

CoolSiC

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Montageart

Chassis

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

33mΩ

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Durchlassspannung Vf

5.65V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Breite

33.8mm

Länge

62.8mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

16.4mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ Halbbrückenmodul mit CoolSiC MOSFET, integriertem NTC-Temperatursensor und Pressfit

Hohe Stromdichte

Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste

Geringe induktive Bauweise

RoHS-konforme Module

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