Infineon Isoliert CoolSiC N-Kanal, Chassis MOSFET 1.2 kV / 50 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY1B

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RS Best.-Nr.:
217-7180
Herst. Teile-Nr.:
FF23MR12W1M1B11BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Serie

CoolSiC

Kabelkanaltyp

N

Montageart

Chassis

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

1.2 kV

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

50 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

20 mW

Pinanzahl

2

Gehäusegröße

AG-EASY1B

Automobilstandard

Nein

Durchlassspannung (Vf)

5.65 V

Höhe

16.4 mm

Länge

62.8 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

33 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Normen/Zulassungen

No

Breite

33.8 mm

The Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ half bridge module with CoolSiC MOSFET, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology

High current density

Best in class switching and conduction losses

Low inductive design

RoHS-compliant modules

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