Infineon Isoliert CoolSiC Typ N-Kanal, Fahrgestell MOSFET 1.2 kV / 50 A 20 mW, 2-Pin AG-EASY1B FF23MR12W1M1B11BOMA1
- RS Best.-Nr.:
- 217-7181
- Herst. Teile-Nr.:
- FF23MR12W1M1B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B | |
| Montageart | Fahrgestell | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Durchlassspannung Vf | 5.65V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 62.8mm | |
| Breite | 33.8 mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B | ||
Montageart Fahrgestell | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Durchlassspannung Vf 5.65V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 62.8mm | ||
Breite 33.8 mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ Halbbrückenmodul mit CoolSiC MOSFET, integriertem NTC-Temperatursensor und Pressfit
Hohe Stromdichte
Erstklassige Schalt- und Leitungsverluste
Geringe induktive Bauweise
RoHS-konforme Module
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