Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.599 | CHF.29.93 |
| 100 - 200 | CHF.0.462 | CHF.23.36 |
| 250 - 450 | CHF.0.441 | CHF.21.84 |
| 500 - 1200 | CHF.0.41 | CHF.20.37 |
| 1250 + | CHF.0.378 | CHF.18.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Länge | 29.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 16.15mm | ||
Länge 29.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
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