Infineon 600V CoolMOS CE N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, in einer Stange mit 50)*
CHF 24.75
Auf Lager
- Zusätzlich 150 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.495 | CHF 24.64 |
| 100 - 200 | CHF 0.384 | CHF 19.19 |
| 250 - 450 | CHF 0.364 | CHF 17.98 |
| 500 - 1200 | CHF 0.333 | CHF 16.77 |
| 1250 + | CHF 0.313 | CHF 15.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3000
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 61W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 29.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9mm | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 61W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 29.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9mm | ||
Höhe 16.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 600V CoolMOS TM CE-Serie. CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt wurde und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er wird in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen verwendet, z. B. PC-Silverbox, Adapter, LCD- und PDP-TV und Innenbeleuchtung.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Verwandte Links
- Infineon 600V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 650V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 15.1 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 550 V / 7.6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 6.6 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 700V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 7.4 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-251
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220