Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin IPS60R1K0CEAKMA1 TO-251

RS Best.-Nr.:: 220-7439
Herst. Teile-Nr.:: IPS60R1K0CEAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin IPS60R1K0CEAKMA1 TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7439
Herst. Teile-Nr.:: IPS60R1K0CEAKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-251
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	61W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	6.22mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.4 mm
	Länge	6.73mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-251
	Serie CoolMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 61W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 6.22mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.4 mm
	Länge 6.73mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPS60R1K0CEAKMA1

Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Leicht steuerbares Schaltverhalten

Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs

Weniger Aufwand beim Design

Einfach zu verwenden

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin IPS60R1K0CEAKMA1 TO-251

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