Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 6.8 A 61 W, 3-Pin TO-251

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RS Best.-Nr.:
220-7439
Herst. Teile-Nr.:
IPS60R1K0CEAKMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-251

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

61W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Breite

2.4 mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon Cool MOS CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Super-Junction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V Cool MOS CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Geringe Leitungsverluste

Niedrige Schaltverluste

Geeignet für hartes und weiches Schalten

Leicht steuerbares Schaltverhalten

Verbesserte Effizienz und daraus resultierende Reduzierung des Stromverbrauchs

Weniger Aufwand beim Design

Einfach zu verwenden

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